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界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响pdf

  中国科技论文在线 界面陷阱电荷对高κ 叠栅介质电学特性的影响# 刘红侠, 张言雷*( 西安电子科技大学微电子学院) 摘要: 本文详细讨论了 采用原子层淀积技术( ALD) 生长的薄膜中界面陷阱电荷对于高 k叠栅 HfO2/SiO2 结构电学特性的影响, 通过实验定量分析了 界面陷阱电荷对 MOS 结构 C-V特性的影响。 通过比较理想 C-V 曲线和实际的 C-V 曲线, 深入分析了 MIS 结构平带电压的漂移。 关键词: 高κ 材料; ALD 工艺; 电特性; 界面陷阱电荷 中图分类号: TN4 基金项目: ...