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陷阱电荷-学术百科-知网空间

  光栅平动式光调制器(GMLM)依靠可动光栅在静电力作用下向下反射镜移动,从而改变光程差,实现光调制.结构中SiO2绝缘层在外加电场作用下产生陷阱电荷,对器件的驱动特性产生影响.作 ...

  采用高频 C- V曲线 nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程 .二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在 1× 10 3Gy(Si)剂 ...

  以传输线脉冲(TLP)为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot+的特性。当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲应力,其导致氧化层击穿的正氧化层陷阱电 ...

  为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜 ...

  利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直接的实验证据 ,发现空穴陷阱俘获特性与应力 ...

  提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法 ,该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,利用恒流应力前后MOS电容高频C V曲线结合恒流应力下栅电压的变化曲线求解陷阱电荷密度及位置等物理量 ...

  基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运 ...

  本文介绍S_i~+离子注入等规聚丙烯引起其结晶度以及陷阱电荷变化的一些研究结果。利用能量为55kev,剂量为3×10~(15)/cm~2的S_i~+离子注入等规聚丙烯后,红外分析 ...

  本文介绍了低能Si~+离子注入聚丙烯薄膜对其结晶度、立构规整度以及陷阱电荷影响的一些研究结果。实验表明,在能量为55keV,剂量为3×10~(15)/cm~2的条件下对聚丙烯薄膜 ...

  正 引言聚合物介质在高电场或电子束辐照下会产生带电现象,建立空间电荷。当时带电的介质进行短路放电时,可引起介质的击穿或接地树枝的产生。为什么这些空间电荷在形成过程中没有引起介质击 ...